|
MSF
#22
29 августа 2001 |
|
Железо - Микросхемы и модули памяти.
Track: By me composed! Xe-xe.. :) Author: Macros, 14 July 2K1. ----------------------------------------- Микросхемы динамической памяти. ------------------------------- Расположение выводов у однобитных мик- росхем DRAM (*A10 у микросхем 1M*1 не используется) DIP-16 SOJ-26/20 256K*1 1M*1;4M*1 +-+---+ +-+----+ A8+1 16+Vss Din+1 26+Vss Din+ +CAS# WE#+------+Dout WE#+ +Dout RAS#+ +CAS# RAS#+ +A6 NC+ +NC A0+ +A3 *A10+5 22+A9 A2+ +A4 | | A1+ +A5 | | Vcc+8 9+A7 A0+9 18+A8 +-----+ A1+ +A7 A2+ +A6 A3+ +A5 Vcc+13 14+A4 +------+ DIP-18 ZIP-20 1M*1 1M*1 4M*1 4M*1 +-+----+ / Din+1 18+Vss A9 1|-|_|2 CAS# WE#+ +Dout Dout 3|-|_|4 Vss RAS#+ +CAS# Din 5|-|_|6 WE# *A10+ +A9 RAS# 6|-|_|8 *A10 A0+ +A8 NC 9|-|_|10 NC A1+ +A7 A0 11|-|_|12 A1 A2+ +A6 A2 13|-|_|14 A3 A3+ +A5 Vcc 15|-|_|16 A4 Vcc+9 10+A4 A5 17|-|_|18 A6 +------+ A7 19|-|_|20 A8 / Расположение выводов четырехбитных мик- росхем DRAM (*A9 у микросхем 256К*4 не используется) DIP-18 SOJ26/20 64K*1 256K*4 1M*4 +-+---+ +-+---+ OE#+1 18+Vss DQ1+1 26+Vss DQ1+ +DQЧ DQ2+-----+DQЧ DQ2+ +CAS# WE#+ +DQЗ WE#+ +DQЗ RAS#+ +CAS# RAS#+ +A0 *A9+5 22+OE# A6+ +A1 | | A5+ +A2 | | A4+ +A3 A0+9 18+A8 Vcc+9 10+A7 A1+ +A7 +-----+ A2+ +A6 A3+ +A5 Vcc+13 14+A4 +-----+ DIP-20 256K*4 ZIP20 1M*4 256k*4 1M*4 +-+---+ DQ1+1 20+Vss / DQ2| +DQЧ OE# 1|-|_|2 CAS# WE#+ +DQЗ DQЗ 3|-|_|4 DQЧ RAS#+ +CAS# Vss 5|-|_|6 DQ1 *A9+ +OE# DQ2 7|-|_|8 WE# A0+ +A8 RAS# 9|-|_|10 *A9 A1+ +A7 A0 11|-|_|12 A1 A2+ +A6 A2 13|-|_|14 A3 A3+ +A5 Vcc 15|-|_|16 A4 Vcc+10 11+A4 A5 17|-|_|18 A6 +-----+ A7 19|-|_|20 A8 / Расположение выводов двухбайтных мик- росхем DRAM SOJ-4OOmil 256K*16 256K*18 +-+-----+ Vcc+1 40+Vss DQ1+ +DQ16 DQ2+ +DQ15 DQЗ+ +DQ14 DQЧ+ +DQ13 Vcc+ +Vss DQS+ +DQ12 DQб+ +DQ11 DQ7+ +DQ10 DQ8+ +DQ9 DQO+ +P11 NC+ +CASL# WE#+ +CASH# RAS#+ +OE# NC+ +A8 A0+ +A7 A1+ +A6 A2+ +A5 A3+ +A4 Vcc+20 21+Vss +-------+ +=======+==============================+ |Сигнал | Назначение | +=======+==============================+ |RAS# | Row Access Strobe | | | Строб выборки адреса строки. | | | По спаду сигнала начинается | | | любой цикл обращения, низкий | | | уровень сохраняется на все | | | время цикла. | +-------+------------------------------+ |CAS# | Column Access Strobe | | | Строб выборки адреса столбца.| | | По спаду начинается цикл за- | | | писи или чтения. | +-------+------------------------------+ |MAi | Multiplexed Address | | | Мультиплексированные линии | | | адреса. Во время спада сиг- | | | нала RAS# на этих линиях при-| | | сутствует адрес строки, во | | | время спада CAS# - адрес | | | столбца. | +-------+------------------------------+ |WE# | Write Enable | | | Разрешение записи. Даные за- | | | писываются в выбранную ячейку| | | по спаду CAS# при низком | | | уровне WE# (Ранняя запись, | | | обычный вариант), либо по | | | спаду WE# при низком уровне | | | CAS# (Задержанная запись). | | | Переход WE# в низкий уровень | | | и обратно при высоком CAS# | | | записи не вызывает, а только | | | переводит выходной буфер EDO | | | DRAM в высокоимпедансное | | | состояние. | +-------+------------------------------+ |OE# | Output Enable | | | Разрешение открытия выходного| | | буфера при операции чтения. | | | Высокий уровень сигнала в лю-| | | бой момент переводит выходной| | | буфер в высокоимпедансное | | | состояние. | +-------+------------------------------+ |DB-In | Data Bit Input | | | Входные данные (только для | | | микросхем с однобитной орга- | | | низацией) | +-------+------------------------------+ |DB-Out | Data Bit Output | | | Выходные данные (только для | | | микросхем с однобитной орга- | | | низацией). Выходные буферы | | | стандартных микросхем открыты| | | только при сочетании низкого | | | уровня сигналов RAS#, CAS#, | | | OE# и высокого уровня WE#; | | | при невыполнении любого из | | | этих условий будеры переходят| | | в высокоимпедансное состоя- | | | ние. У микросхем EDO выходные| | | буферы открыты и после подъе-| | | ма сигнала CAS#. | +-------+------------------------------+ |DQx | Data Bit | | | Объединенные внутри микро- | | | схем входные и выходные сиг- | | | налы данных. | +-------+------------------------------+ |NC | No Connection | | | Свободный вывод. | +=======+==============================+ Микросхемы статической памяти DIP-28 8K*8 (выв.1,26 не исп) 16K*8 (выв. 1 не исп) +-+----+ DIP-32 *A14+1 28+Vcc 64K*8 (выв. 2 не исп) A12+ +WE# 128K*6 A7+ +A13* A6+ +A8 +-+----+ A5+ +A9 NC+1 32+Vcc A4+ +A11 *A16+ +A15* A3+ +OE# A14+ +CE2* A2+ +A10 A12+ +WE# A1+ +CE# A7+ +A13 A0+ +DQ7 A6+ +A8 DQO+ +DQб A5+ +A9 DQ1+ +DQS A4+ +A11 DQ2+ +DQЧ A3+ +OE# GND+14 15+DQЗ A2+ +A10 +------+ A1+ +CE1# A0+ +DQ7 DQO+ +DQб DQ1+ +DQS DQ2+ +DQЧ GND+16 17+DQЗ +------+ Модули динамической памяти SIMM-30 +-----------------------------+ | +-----+ +-----+ +-----+ | | | | | | | | | | | | | | | | | |o +-----+ +-----+ +-----+ o| ++ | | 1 ||||||||||||||||||||| 30 | +----------------------------+ Назначение выводов модулей SIP и SIMM STD - стандартный SIMM (SIPP) IBM - SIMM фирмы IBM +-------+------------+------------+ |Контакт| STD | IBM | +-------+------------+------------+ | 1 | +5В | +5В | | 2 | CAS# | CAS# | | 3 | DQO | DQO | | 4 | MAO | MAO | | 5 | MA1 | MA1 | | 6 | DQ1 | DQ1 | | 7 | MA2 | MA2 | | 8 | МАЗ | МАЗ | | 9 | GND | GND | | 10 | DQ2 | DQ2 | | 11 | МАЧ | МАЧ | | 12 | MAS | MAS | | 13 | DQЗ | DQЗ | | 14 | MAб | MAб | | 15 | MA7 | MA7 | | 16 | DQЧ | DQЧ | | 17 | MA8 | MA8 | | 18 | MA9 | MA9 | | 19 | MA10 | RAS1# | | 20 | DQS | DQS | | 21 | WE# | WE# | | 22 | GND | GND | | 23 | DQб | DQб | | 24 | NC | PD (GND) | | 25 | DQ7 | DQ7 | | 26 | PB-Out | PD (1M-GND)| | 27 | RAS# RASO# | | | 28 | CAS-Parity#| NC | | 29 | PB-In | PB-(In/Out)| | 30 | +5В | +5В | +-------+------------+------------+ Сигналы модулей SIMM +============+-----------------------+ |MAi | Multiplexed Address | +------------+-----------------------+ |DQx | Data Bit (объединены | | |выходы и входы. | +------------+-----------------------+ |PQx | Parity Bit - бит | | |паритета x-го байта. | +------------+-----------------------+ |PB-In | Parity Bit Input | +------------+-----------------------+ |PB-Out | Output - вход и выход | | |микросхемы бита пари- | | |тета. Для хранения па- | | |ритета в этих модулях | | |всегда используются | | |микросхемы с однобитной| | |организацией, у которых| | |вход и выход разделен. | | |Обычно эти контакты на | | |модуле соединены. | +------------+-----------------------+ |WE# | Write Enable | +------------+-----------------------+ |RASx# |Стробы выбора строк. | | |RAS#0 и RAS#1 использу-| | |ются соответственно для| | | бит 0-15 и 16-31. | +------------+-----------------------+ |CASx# |Стробы выборки столб- | | |цов, отдельные для каж-| | |дого байта. | +------------+-----------------------+ |CAS-Parity# |Строб выборки столбцов | | |для контрольных раз- | | |рядов. | +------------+-----------------------+ |OEx# | Output Enable | +------------+-----------------------+ |PD1-5 | Presence Detect | | |Индикаторы присутствия | | |(обычно не используют) | +------------+-----------------------+ |NC | No Connection | | |Свободный вывод | +============+-----------------------+ Постоянная память DIP-24 DIP-28 +-+---+ +-+---+ A7+1 24+Vcc Vpp/*A15+1 28+Vcc A6+ +A8 A12+ +PGM#/A14* A5+ +A9 A7+ +A13 A4+ +A11/Vpp* A6+ +A8 A3+ +OE#/Vpp* A5+ +A9 A2+ +A10 A4+ +A11 A1+ +CE# A3+ +OE#/Vpp* A0+ +DQ7 A2+ +A10 DQO+ +DQб A1+ +CE# DQ1+ +DQS A0+ +DQ7 DQ2+ +DQЧ DQO+ +DQб GND+12 13+DQЗ DQ1+ +DQS +-----+ DQ2+ +DQЧ GND+14 15+DQЗ +-----+ TSOP-32 DIP-32 +-+------+ +-+---+ Vpp+1 32+OE# Vpp+1 32+Vcc A16+ +A10 A16+ +PGM# A15+ +CE# A15+ +A17* A12+ +DQ7 A12+ +A14 A7+ +DQб A7+ +A13 A6+ +DQS A6+ +A8 A5+ +DQЧ A5+ +A9 A4+ +DQЗ A4+ +A11 A3+ +GND A3+ +OE# A2+ +DQ2 A2+ +A10 A1+ +DQ1 A1+ +CE# A0+ +DQO A0+ +DQ7 DQO+ +A0 DQO+ +DQб DQ1+ +A1 DQ1+ +DQS DQ2+ +A2 DQ2+ +DQЧ GND+16 17+A3 GND+16 17+DQЗ +--------+ +-----+ +==============+=======+===============+ |Микросхема и | Корпус| Примечание | |организация | | | +==============+=======+===============+ |2716 - 2K*8 |DIP-24 |20=OE#; 21=Vpp | |2732 - 4K*8 |DIP-24 |20=OE#/Vpp | | | |21=A11 | |2764 - 8K*8 |DIP-28 |1=Vpp; 22=OE# | | | |26=NC; 27=PGM# | |27128 - 16K*8 |DIP-28 |1=Vpp; 22=OE# | | | |26=A13; 27=PGM#| |27256 - 32K*8 |DIP-28 |1=Vpp; 22=OE# | | | |26=A13; 27=A14 | |27512 - 64K*8 |DIP-28 |1=Vpp; | | | |22=OE#/Vpp | | | |26=A13; 27=A14 | |27010 - 128K*8|DIP-32 |30=NC | |27010 - 128K*8|TSOP-32|6=NC | |27010 - 128K*8|PLCC-32|30=NC | |27020 - 256K*8|DIP-32 |- | |27020 - 256K*8|TSOP-32|- | |27020 - 256K*8|PLCCЗ2 |- | +--------------+-------+---------------+ +====+---------------------------------+ |CE# |Выборка микросхемы. | +----+---------------------------------+ |OE# |Разрешение чтения данных из м/сх.| | | | |DQx |Двунаправленные линии шины данных| +----+---------------------------------+ |Ax |Входные линии шины адреса. Линия | | |A9 допускает подачу высокого | | |(12 В) напряжения для чтения кода| | |производителя (A0=0) и устройства| | |(A0=1), при этом на остальные | | |адресные линии подается лог."0" | +----+---------------------------------+ |PGM#|Импульс программирования. | | |Некоторые микросхемы не имеют | | |этого сигнала, их программирова- | | |ние осуществляется по сигналу CE#| | |при высоком уровне Vpp. | +----+---------------------------------+ |Vpp |Программирующее напряжение пи- | | |тания. Для некоторых типов - | | |импульс | +----+---------------------------------+ |Vcc |Питание (+5 В) | +====+---------------------------------+
Другие статьи номера:
Похожие статьи:
В этот день... 21 ноября