Методика программирования. До
программирования в " микросхемах
типа КР556РТ4А, КР556РТ11,
КР556РТ12, КР556РТ13, КР556РТ14,
КР556РТ15, КР556РТ16 и
КР556РТ18 по всем адресам и раз-
рядам записан низкий уровень
«Лог. 0», а в микросхемах КР556РТ5
и КР556РТ17 — высокий уровень
«Лог. 1». Перевод любого бита ин-
формации в состояние, отличное от
исходного, производится в процессе
программирования. Процесс про-
граммирования микросхем серии
КР556 включает в себя запись ин-
формации и контроль электрических
параметров микросхемы с записан-
ной информацией. Структурная схе-
ма подключения микросхемы при
программировании приведена на
рис. 9.
Для записи информации на выво-
ды микросхемы подаются две серии
импульсов, обеспечивающие нор-
мальный и дополнительный режимы
записи (табл. 11). Первая серия
импульсов соответствует нормально-
му режиму записи. Затем следует
дополнительный режим записи, ко-
торый, в отличие от нормального,
имеет другое число импульсов про-
граммирования. В цикл программи-
рования микросхем включается за-
дание исходного состояния. микро-
схемы, запись информации (нормаль-
ный и дополнительный режимы за-
писи) и контроль электрических па-
раметров микросхемы с записанной
информацией.
Если при контроле электрические
параметры микросхемы соответству-
ют нормам ТУ, то микросхемы счи-
таются запрограммированными. Ес-
ли после окончания второй серии
импульсов (дополнительный режим
записи) информация в микросхему
не записалась, микросхему бракуют.
В каждом цикле программируется
Исходное состояние. До
программирования (для обеспечения
исходного состояния микросхемы)
необходимо в соответствии с табли-
цей назначения выводов (табл. 12)
выполнить следующие операции:
общий вывод микросхемы (ОВ)
заземлить;
на вывод питания (Ucc) подать
напряжение низкого уровня Uil =
= 0...0,5 В (для микросхем типа
КР556РТ5 и КР556РТ17 при про-
граммировании выводы 22 и 24 объ-
единяются) ;
на входы выбора микросхемы по-
дать код, определяемый режимом
контроля (считывания) информации
в соответствии с табл. 13;
на все выходы (D00...D0n) подать
напряжение высокого уровня Uih =
=4...5,5 В; допускается подавать
напряжение 5±0,5 В через резистор
R = 300 Ом...1 кОм;
Запись информации. Нор-
мальный и дополнительный режимы
записи информации обеспечиваются
при условии подачи на выводы мик-
росхем необходимых напряжений.
Для записи одного бита информа-
ции необходимо выполнить следую-
щую последовательность подачи на-
пряжений:
1. На адресные входы (А0...Ап)
подать напряжение низкого уровня
Uil = 0...0,5 В и напряжение высо-
кого уровня Uih=4...5,5 В в соот-
ветствии с кодом адреса слова, в
которое записывается информация.
2. Напряжение источника питания
Ucc повысить с Uil = 0...0,5 В до
5±0,5 В.
3. На вход выбора микросхемы,
участвующий в программировании
(см. табл. 2), подать напряжение
высокого уровня Uih=4...5,5 В.
4. На все выходы (D00...D0n),
кроме программируемого, подать на-
пряжение высокого уровня Uih =
= 4...5,5 В.
5. Напряжение источника питания
Ucc повысить с 5 ±0,5 В до 12,5±
±0,5 В; ток. обеспечиваемый источ-
ником программирования, должен
быть не менее 600 мА.
Одновременно такое же напряже-
ние через резистор R = 620 Ом по-
дать на программируемый выход,
соответствующий первому разряду,
в который записывается информа-
ция. На остальных выходах под-
держивается напряжение 4...5,5 В.
6. Напряжение источника питания
Ucc снизить до 0..Д5 В; одновре-
менно снять напряжение с програм-
мируемого выхода.
7. Напряжение на входе выбора
микросхемы, участвующего в про-
граммировании, понизить до Uil==
= 0...0,5 В.
Перечисленные в п. 1—7 опера-
ции повторяют для всех программи-
руемых разрядов слова. По оконча-
нии цикла записи слова проводят
контроль правильности записанной
информации, для' чего напряжение
источника питания устанавливают
равным 5±0,5 В, производят цикл
считывания и контроль правильно-
сти записанной информации в дан-
ное слово.
Допускается контроль информации
после записи информации в каждый
бит. Время воздействия напряже-
ния питания при контроле записан-
Таблица 11
Параметры импульсов программирования
_ Значение параметра
Параметр, единица _____
измерения Обозначение .
мин. макс. J рекомендуемое
Нормальный режим
записи информации:
длительность импуль- т, 25 1 100 25
сов программирова-
ния, мкс
число импульсов про- N, 1000 4000 1000
граммирования на
один бит
Скважность програм- Q 5 20 10
мирующих импульсов
Время установления ta 1 —
адресных входов от-
носительно напряже-
ния питания, мкс
Время установления t, 1 —
напряжения питания
относительно запрета
выборки, мкс
Время установления U 1 10
запрета выборки от-
носительно напряже
ния программирова-
ния, мкс
Время сохранения вы- t4 15
борки относительно
напряжения питания,
мкс
Время задержки t5 1
строба импульса
контроля относитель-
но входа разрешения
выборки, мкс
Длительность фронта 300 3000
и спада импульса (на
уровне 0,1 и 0,9 от
амплитуды импульса),
НС
Время задержки вы- te 0 5 0
ходного импульса от-
носительно напряже-
ния питания
Дополнительный ре-
жим записи инфор-
мации:
длительность импуль- т, 25 i00 25
сов прогриммирова-
ния, мкс
число импульсов про- N, 40 100 6U
граммирования
т
П? и м е ч а н и я: 1. Q=—— . где Тп — период программирующих импульсов
*пр
t —время воздействия напряжения питания.
2- Все временные параметры должны быть выдержаны с точностью ±10%.
ной информации должно быть ми-
нимальным. Допускается по окон-
чании цикла записи информации в
одно слово напряжение питания
Ucc понижать с 12,5 В до 5±0,5 В,
совмещая конец цикла записи ин-
формации с началом цикла конт-
роля,
Микросхемы с записанной инфор-
мацией рекомендуется подвергать
электротермотренировке (ЭТТ). Схе-
ма подключения микросхем при ЭТТ
приведена на рис. 11. При ЭТТ про-
изводится считывание информации
с частотой 50 Гц...1 МГц последова-
тельно по всем адресам.
