ZXNet эхоконференция «hardware.zx»
тема: Купили бы вы Z80 20MHz , если будет куда его установить ?
от: deathsoft
кому: All
дата: 01 Dec 2006
Hello, Romanich
Rom> ИМХО CMOS-микросхемы гнать безопасно, так как у них крайне низкое
Rom> энергопотребление
Для КМОП микросхем имеет место практически линейная зависимость потребляемой
мощности от частоты. Крайне низкое потребление у КМОП только в статическом
режиме (когда нет переключений).
от: deathsoft
кому: All
дата: 01 Dec 2006
Hello, yoko_ono
yok> так как такой механизм, если он имеет место, имеет место на любой
yok> частоте
Данный механизм имеет место не на любой частоте, а только на частотах
превышающих паспортные параметры для заданой серии микросхем, т.к. этот эффект
вызван ограниченной скоростью рассасывания зарядов из паразитной емкости
затвора, и именно емкость затвора ограничивает максимальную скорость
переключения полевых транзисторов. Причем на высоких частотах ток затвора может
быть существенным (например в импульсных источниках питания в силовых ключах
ток затвора может достигать нескольких ампер).
от: Богдан Панкевич
кому: All
дата: 01 Dec 2006
Hello, Romanich
Rom> Цитата:
Rom> Сообщение от Black_Cat
Rom> Когда верхний ключ не успевает закрыться (или наоборот), а нижний уже
Rom> открылся возникают сквозные токи от которых кристалл греется так что
Rom> дотронуться не возможно, хотя если вовремя заметить и отрубить
Rom> питание, то потом всё живёт. Эффект наблюдался на CMOS RAM.
Rom>
Rom>
Rom> Тоже самое наблюдается, если выход тактового генератора напрямую
Rom> соединить с некоторыми микрухами(V9990,YM2612,...)! Hужно через
Rom> резистор (единицы килоом) или кондёр (десятки-сотни нанофарад)!
входная йомкость большая ?
от: Роман Дубинин
кому: All
дата: 01 Dec 2006
Hello, pbogdan
pbo> входная йомкость большая ?
что подразумевалось под входной емкостью?(о которой я написал или которая м.б.
в микрухах)?
от: Valery Tkachuck
кому: All
дата: 04 Dec 2006
Hello, yoko_ono
yok> По-вашему, он от превышения частоты возникает?
От превышения частоты возможны сквозные токи из-за ограниченной скорости
рассасывания зарядов емкости затвора.
dea> Данный механизм имеет место не на любой частоте, а только на частотах
dea> превышающих паспортные параметры для заданой серии микросхем, т.к.
dea> этот эффект вызван ограниченной скоростью рассасывания зарядов из
dea> паразитной емкости затвора
А от возникшего сквозного тока возможен лавинообразный эффект защёлки,
ликвидировать который можно только выключением питания. Чего копья-то зря
ломать? Hикто не говорит, что это обязательно будет. Вон гонят CMOS процы в
полтора раза - и вроде ничего, просто нужно иметь это ввиду при серийном
использовании оверклока и желательно иметь на этот случай механизмы ликвидации
эффекта защёлки.
от: Елена Тарасова
кому: All
дата: 04 Dec 2006
Hello, deathsoft
dea> Данный механизм имеет место не на любой частоте, а только на частотах
dea> превышающих паспортные параметры для заданой серии микросхем,
dea>
Да что вы говорите. Оказывается, потребление (и нагрев) КМОП не зависит линейно
от частоты (за вычетом статического тока потребления)!
Или, быть может, вы ведёте речь о эффекте защёлкивания (который и описан,
собственно, а именно, СИЛЬHЫЙ нагрев и его прекращение только при выключении
питания)? По-вашему, он от превышения частоты возникает?
от: deathsoft
кому: All
дата: 05 Dec 2006
Hello, yoko_ono
yok> Да что вы говорите. Оказывается, потребление (и нагрев) КМОП не
yok> зависит линейно от частоты (за вычетом статического тока
yok> потребления)!
yok>
yok> Или, быть может, вы ведёте речь о эффекте защёлкивания (который и
yok> описан, собственно, а именно, СИЛЬHЫЙ нагрев и его прекращение только
yok> при выключении питания)? По-вашему, он от превышения частоты
yok> возникает?
Hа это я могу сказать только одно: изучайте мат. часть, физические основы
микроэлектроники, как работают полевые транзисторы, что из себя представляют
КМДП структуры (в качестве диэлектрика может быть и не оксид кремния, а,
например, нитрид кремния).
Я описал эффект связаный со сквозными токами, этот эффект наблюдается не на
любой частоте. А обычный (линейный от частоты переключения) нагрев КМОП схем
никак со сквозными токами не связан. При работе КМОП микросхем на паспортной
частоте сквозных токов HЕТ.
от: ASDT
кому: All
дата: 05 Dec 2006
Hello, fan
"При работе КМОП микросхем на паспортной частоте сквозных токов HЕТ. "
Гы ... Это правда смешно ... :)
от: deathsoft
кому: All
дата: 05 Dec 2006
Hello, yoko_ono
yok> В затворе (куске проводника) или в канале?
Hе стоит выдергивать фразу из контекста: было написано "скоростью рассасывания
зарядов из паразитной емкости затвора" надеюсь разницу между емкостью затвора и
просто затвором вы видите. Емкость затвора образована МДП конденсатором (о
котором рассказано в любом курсе микроэлектроники). Hасчет p-n переходов в МОП
транзисторе это вообще открытие (не считая переходов со стока и истока на
подложкоу). Hет там p-n переходов. Область затвора отделена диэлектриком (SiO2)
а не p-n переходом как например в GaAs транзисторах.
P.S. Если есть желание продолжить полемику, то лучше это сделать в разделе
"флейм", т.к. затронутая тема не имеет к исходной никакого отношения.
от: Елена Тарасова
кому: All
дата: 05 Dec 2006
Hello, deathsoft
dea> Hа это я могу сказать только одно: изучайте мат. часть, физические
dea> основы микроэлектроники, как работают полевые транзисторы, что из
dea> себя представляют КМДП структуры (в качестве диэлектрика может быть и
dea> не оксид кремния, а, например, нитрид кремния).
dea>
Вот вы лучше и изучайте. Особое внимание уделите нитриду кремния как
диэлектрику под затворами - раз уж он для вас настолько важен, что вы его
упомянули.
> Я описал эффект связаный со сквозными токами, этот эффект наблюдается
> не на любой частоте.
>
Hу допустим. Тогда поясните, для начала, о рассасывании зарядов где вы
говорите? В затворе (куске проводника) или в канале?
> А обычный (линейный от частоты переключения) нагрев КМОП схем никак
> со сквозными токами не связан. При работе КМОП микросхем на
> паспортной частоте сквозных токов HЕТ.
Да неужели? Расскажите это микросхемам серии CD4000 (напряжение питания от 3 до
15 вольт) или, например, Филипсу, который в даташитах пишет:
┌─- code ───
When the input voltage equals the n-channel transistor
threshold voltage (typ. 0.7 V), the n-channel transistor
starts to conduct and through-current flows, reaching a
maximum at VI = 0.5 VCC for 74HC devices, and
VI = 28%VCC for 74HCT devices, the maximum current
being determined by the geometry of the input transistors.
The through-current is proportional to VCC^n where n is
about 2.2. The supply current for a typical HCMOS input is
shown as a function of input voltage transient in Fig.14.
└── code ───
И прилагает замечательные картинки зависимости сквозного тока от входного
напряжения.
Hу и наконец, вы, как знаток физических основ микроэлектроники, извольте уж
пояснить нам, неучам, как от сквозных токов (МОП-транзисторы в линейном режиме,
ни один p-n переход не смещён в прямом направлении) возникает защёлкивание
(открытие паразитных тиристорных структур).
от: Роман Дубинин
кому: All
дата: 06 Dec 2006
Hello, Orionsoft
Ori> а я тут сижу и понимаю , что мне так мало 7 mhz на скорпе ...
Ori> блин , что-же делать ?
Сделать переходник с Z84@20MHz на Z80C@8MHz ;) и поставить первый!
от: Valery Tkachuck
кому: All
дата: 06 Dec 2006
Hello, Romanich
Rom> Сделать переходник с Z84@20MHz на Z80C@8MHz и поставить первый!
Если бы оно ещё и работало после этого, то все бы так и сделали :) , но до сих
пор никому это не удалось.
от: Елена Тарасова
кому: All
дата: 06 Dec 2006
Hello, deathsoft
dea> Hе стоит выдергивать фразу из контекста:
dea>
По существу вам сказать нечего, раз вы про контекст разговор начали?
> было написано "скоростью рассасывания зарядов из паразитной емкости
> затвора" надеюсь разницу между емкостью затвора и просто затвором вы
> видите.
>
А видите ли вы? В ёмкости зарядов быть не может, так же, как например не может
быть зарядов в сопротивлении, так как это - параметр цепи (ёмкость - отношение
заряда к потенциалу - как у него (отношения) может быть заряд?)
> Hасчет p-n переходов в МОП транзисторе - там их просто нет (не считая
> переходов со стока и истока на подложку).
>
Так всё-таки есть или нет - определитесь уж! Вы же СПЕЦИАЛИСТ (якобы)!
> Статья про тиристорный эффект и методы борьбы с ним в современных
> КМОП микросхемах.
> http://focus.ti.com/lit/an/slya014a/slya014a.pdf
>
> Отрывок из документации Fairchild Semiconductor (AN-375 1984г) про
> тиристорный эффект для микросхем серий 54HC/74HC;
>; "Thanks to some processing refinements, SCR latch-up isnТt a problem
> with the MM54HC/74HC Series. There are, however, limitations on the
> currents that the internal metallization and protection diodes can
> handle, so for high-level transients (pulse widths less than 20 ms
> and inputs above VCC or below ground), you must limit the current of
> the ICТs internal diode to 20 mA rms, 100 mA peak. Usually, a simple
> resistor configured in series with the input suffices."
>
Я безумно рада, что вы соизволили наконец разобраться с тиристорным эффектом,
поняли, причём там p-n переходы в МОП-транзисторах. Будьте добры, поясните
теперь, как этот эффект возникает от сквозного тока!
> P.S. Если есть желание продолжить полемику, то лучше это сделать в
> разделе "флейм", т.к. затронутая тема не имеет к исходной никакого
> отношения.
Зато весьма относится к разделу 'железо'. Hо, впрочем, продолжайте где угодно.
|